اکسیداسیون در الکترونیک

یکی از ویژگی های مهم سیلیکن که آن را برای ساخت قطعات نیمه هادی مناسب ساخته است، رشد آسان اکسید بر روی آن می باشد. این لایه حتی در دمای اتاق بر روی سیلیکن شکل می گیرد، اما کیفیت آن برای کاربردهای الکترونیکی، مناسب نمی باشد. لایه اکسید مناسب بر روی ویفر در دماهای بالا و در حضور اکسیژن رشد داده می شود.

 

Oxidation in Electronic

 

سیلیکن یک نیمه هادی است، اما اکسید آن، یک عایق بسیار عالی می باشد. این ترکیب به همراه سایر ویژگی های دی اکسید سیلیکن، آن را به یکی از پرکاربردترین لایه ها در فرآیند ساخت قطعات الکترونیکی تبدیل کرده است. همچنین اکسید ذاتی سیلیکن، یکی از برتری ذاتی سیلیکن نسبت به دیگر نیمه هادی ها است.

مکانیزم اکسیداسیون:

هدف از فرآیند اکسیداسیون، رشد یک لایه از Sio2 بر روی سطح ویفر است. این لایه حتی در دمای اتاق بر روی سطح ویفر شکل می گیرد که به آن، native oxide گفته می شود.

واکنش بین سیلیکن و اکسیژن که منجر به تولید سیلیکن اکسید می شود و در حد فاصل بین این دو ماده رخ می دهد. در صورتی که اکسید سیلیکن روی سطح ویفر تشکیل شود به منظور تشکیل اکسید سیلیکن بیشتر، اکسیژن باید از اکسید رشد داده شده عبور کنند تا به سیلیکن برسند. بنابراین با گذشت زمان سرعت اکسیداسیون کاهش می یابد. جهت بالا بردن سرعت اکسیداسیون می توان ویفر را در معرض اکسیژن و یا آب در دمای مناسب قرار دارد.

بنابراین برای دستیابی به لایه ای مناسب برای پروسه های ساخت قطعات الکترونیکی در مدت زمان قابل قبول، این واکنش در دماهای بالا انجام می شود که به همین دلیل به آن اکسیداسیون حرارتی گفته می شود.

در طول عمر اکسیداسیون، فصل مشترک بین سیلیکن و دی اکسید سیلیکن به درون ویفر فرو می رود. این موضوع، ناحیه فصل مشترک تازه ای ایجاد می کند.



[ برچسب ها ] : , , ,
ارسال شده در : بخش الکترونیک
نظر شما در مورد اين پست چيست ؟

دیدگاه خود را به ما بگویید.

 
 
  دکتری تخصصی برق الکترونیک
طراح مدارهای الکترونیکی
برنامه نویس انواع میکروها
مشاوره و اجرای لینک های وایرلس
پیاده سازی سیستم های مبتنی بر شبکه
E_mail: electronic@sabzelco.ir
Tel: 09150462401
توسعه دهنده برنامه های سمت سرور

طراحی و برنامه نویسی سایت و پرتال های حرفه ای

E_mail: computer@sabzelco.ir
Tel: 09371974233