ساخت مدارات مجتمع CMOS – بخش ۲

ایجاد یک مدار مجتمع در سه مرحله اصلی و کاملا مجزا شامل طراحی، تولید ماسک و ساخت صورت می پذیرد. در مرحله اول، ساخت چیپ توسط طراح مدار پایه ریزی می شود و درواقع جانمایی (Layout) مدار مشخص می شود.

ساخت مدارات مجتمع CMOS

 

در مطلب قبلی (ساخت مدارات مجتمع CMOS – بخش ۱) به یک مورد از روش های تشکیل چاه ها به عنوان نواحی فعال اشاره شد که در ادامه به روش های دیگر آن می پردازیم.

 

ب) اکسیداسیون محلی سیلیکن (LOCOS)

در این روش بین ادوات مختلف و در واقع چاه ها، اکسید ضخیم بین آنها ایجاد می کنیم تا از تداخل آنها جلوگیری شود. فاصله بین اکسیدهای ضخیم ناحیه فعال را مشخص می کنند. مراحل کار بدین صورت است:

 

۱- رشد اکسید حرارتی: در این مرحله اکسید با دو روش خشک در دمای ۱۰۰۰ درجه و زمان ۴۵ دقیقه و یا توسط روش تر با بخار آب در دمای ۹۰۰ درجه و زمان ۱۵ دقیقه با ضخامت تقریبی ۴۰ نانومتر نشانده می شود.این اکسید علاوه بر جدا کننده ی نواحی فعال به عنوان متوقف کننده ی عمل زدایش، رهایی از تنش و نیز برای جلوگیری از کانال زنی استفاده می شود.

 

۲- انتقال ویفر به کوره حرارتی دوم جهت رشد نیتراید: نیتراید روی اکسید نشانده شده با روش LPCVD در دمای ۸۰۰ درجه با ضخامت ۸۰ نانومتر نشانده می شود.

 

۳- نشاندن رزیست: رزیست در دمای ۱۰۰ درجه روی نیتراید پخته می شود و توسط ماسک اول با تابش نور نواحی فعال مشخص می شوند. در اثر نور قسمت هایی که زیر ماسک قرار ندارند تحت تاثیر قرار می گیرند و با زدایش خشک فوتورزیست اکسید و نیتراید این قسمت برداشته می شود.

 

۴- زدایش کل رزیست: رزیست باقی روی اکسید و نیتراید توسط روش تر با اسید سولفوریک و یا روش خشک توسط اتم های اکسیژن برداشته می شود.

 

۵- ایجاد LOCOS: برای رشد اکسید میدان در قسمت هایی که خالی شده، از فرآیند LOCOS استفاده می شود که نواحی فعال، با این LOCOS ها از هم جدا می شوند. اکسیداسیون در این مرحله توسط روش تر در دمای ۱۰۰۰ درجه و در زمان ۹۰ دقیقه با ضخامت ۰٫۵ مایکرومتر نشانده می شود.

 

۶- زدایش نیتراید: در نهایت لازم است نیتراید باقی مانده را توسط روش شیمیایی با اکسید فسفریک برداریم.

 

ج) اکسیداسیون محلی چند بافره  (Poly Boffer LOCOS)

در روش LOCOS امکان ایجاد نواحی نوک پرنده مشکل ساز است. در این روش جدید مانند روش قبل کرد با این تفاوت که بین اکسید و نیتراید یک لایه پلی سیلیکان با روش LPCVD می نشانیم. می توان نیتراید را ضخیم تر تا ضخامت ۲۰۰ نانومتر و اکسید را نازک تر با ضخامت ۲۰ نانومتر ایجاد کرد که اثر نوک پرنده را کاهش می دهد.

 

در مطالب بعدی به ادامه بحث خواهیم پرداخت.



[ برچسب ها ] : , , , , ,
ارسال شده در : بخش الکترونیک
نظر شما در مورد اين پست چيست ؟

دیدگاه خود را به ما بگویید.

 
 
  دکتری تخصصی برق الکترونیک
طراح مدارهای الکترونیکی
برنامه نویس انواع میکروها
مشاوره و اجرای لینک های وایرلس
پیاده سازی سیستم های مبتنی بر شبکه
E_mail: electronic@sabzelco.ir
Tel: 09150462401
توسعه دهنده برنامه های سمت سرور

طراحی و برنامه نویسی سایت و پرتال های حرفه ای

E_mail: computer@sabzelco.ir
Tel: 09371974233