پروسه های لایه نشانی فیزیکی (۲)

لایه نشانی، بخش مهمی از ساخت مدارات مجتمع می باشد. که ما به بررسی لایه نشانی فیزیکی و انواع آن می پردازیم.

چهار سیستم اصلی جهت لایه نشانی از طریق فیزیکی وجود دارد که به دو مورد آن در مطلب قبل پرداخته شد.

 

پروسه های لایه نشانی فیزیکی

اما روش ” لایه نشانی با روش جدا کردن (Sputtering Deposition) ” که در مطلب قبل به آن اشاره شد، در سیستم های مختلفی انجام می شود که در این مطلب به آن خواهیم پرداخت.

 

Ion Beam Sputtering

یون ها در محفظه ای خارج از محفظه ویفر ساخته شده و به سطح ویفر فرستاده می شود.

با توجه به اینکه ویفر و ماده ی لایه نشانی در یک محفظه قرار دارند، فشار کمتری در میان سایر روش های Sputtering دارا است. ولی میزان تولید یون در این روش کم است.

 

Magnetron Sputtering

جهت بالا بردن میزان یون و لذا افزایش سرعت لایه نشانی در Sputtering، استفاده از الکترود سوم که تعداد الکترون ها و در نتیجه یون ها را زیاد می کند، نیاز می باشد.

روش دیگر، اعمال یک میدان مغناطیسی است (مانند ECR عمل می کند). این روش در لایه نشانی آلومینیوم و آلیاژهای آن می باشد. لایه نشانی در ولتاژ پایین تری نسبت به سایر روش های Sputtering انجام می شود.

 

Reactive sputter Deposition

در هنگام نشاندن سیلیکن اکسید و یا نیتراید سیلیکن، ممکن است مولکول ها تجزیه شده و گاز نیتروژن و یا اکسیژن خارج شده و تنها سیلیکن روی ویفر بنشیند.

جهت جلوگیری از این مشکل در هنگام پروسه ی لایه نشانی، اکسید سیلیکن از اتم های اکسیژن و در هنگام لایه نشانی نیتراید سیلیکن از اتم های نیتروژن استفاده می شود. روش دیگر استفاده از یون اکسیژن و نیتروژن به جای آرگون می باشد که به آن لایه نشانی Reactive sputter می گویند.

 

Bias sputter Deposition

توسط اعمال یک توان RF به زیر لایه، یون های روی سطح ویفر شتاب گرفته و سبب کنده شدن اتم های لایه نشانده شده روی ویفر می شوند. بنابراین این است که هیچ لایه نشانی رخ نداده است.

اعمال ولتاژ، مزایای متفاوتی دارد. از جمله لایه بمباران لایه نشانده شده، می تواند آلودگی های گیر افتاده در لایه را خارج سازد. همچنین می تواند به عنوان روشی جهت تمیز سازی سطح ویفر قبل از شروع کار استفاده کرد.

در صورتی که در هنگام لایه نشانی چاله ای داشته باشیم که خوب پر شده است، بعد از مدتی نشاندن مقداری از سطح را با اعمال ولتاژ برمی دارند و مجددا لایه نشانی را ادامه می دهند.

 

Collimated sputter Deposition

چاله هایی در سطح ویفر، که عمق نسبتا بالایی دارند، در هنگام فرآیند لایه نشانی به درستی پر نمی شوند. اتم هایی که به سطح ویفر فرستاده می شوند در دیواره ها جمع شده و گاها به کف نمی روند و سبب می شوند روی چاله بدون آنکه سطح زیر آن پر شود، با اتم های لایه نشانی پوشانده شود.

از آن جایی که دیواره ها تنها در صورتی که، اتم های فرستاده شده با زاویه وارد چاله شوند، اتم دریافت می کنند. استفاده از روشی که اتم ها را بدون زاویه و مستقیما به سمت گودال بفرستد، از این مشکل جلوگیری می کند. جهت این که اتم ها با جهت عمود وارد شوند با قرار دادن لوله هایی در بالای چاله تنها اتم ها با زاویه عمود وارد می شوند.

 

در مطلب بعدی به انواع دیگر روش های ” پروسه های لایه نشانی فیزیکی ” می پردازیم.



[ برچسب ها ] : , , , , , , ,
ارسال شده در : بخش الکترونیک
نظر شما در مورد اين پست چيست ؟

دیدگاه خود را به ما بگویید.

 
 
  دکتری تخصصی برق الکترونیک
طراح مدارهای الکترونیکی
برنامه نویس انواع میکروها
مشاوره و اجرای لینک های وایرلس
پیاده سازی سیستم های مبتنی بر شبکه
E_mail: electronic@sabzelco.ir
Tel: 09150462401
توسعه دهنده برنامه های سمت سرور

طراحی و برنامه نویسی سایت و پرتال های حرفه ای

E_mail: computer@sabzelco.ir
Tel: 09371974233