بررسی زدایش در مدارات مجتمع

در این مطلب قصد داریم مراحل ساخت یک ترانزیستور را به ترتیب مرور کرده و روش های ارزیابی ترانزیستور ساخته شده جهت بررسی هرگونه عیب و مشکل در طول ساخت بررسی شود.

ارزیابی پروسه

ارزیابی پروسه به بررسی مدارات و یا ترانزیستور ساخته شده گفته می شود به طوری که هرگونه عیب و نقص مشخص گردد و همچنین خواص ترانزیستور ساخته شده، مواد تشکیل دهنده و … مشخص شود.

ارزیابی ار اساس هدفی که دنبال می کند به سه دسته تقسیم می شود که در ادامه به هریک و روش های مرسوم در آنها بررسی می کنیم.

 

1-ارزیابی ساختاری

هدف از آزمایشات تشخیص عیب و نقص در ساختار کریستالی مواردی که رشد داده ایم می باشد.

جهت تعیین نقص ها در ساختار کریستالی روش های متفاوتی به کار می رود که مرسوم ترین آنها را بررسی خواهیم کرد.

الف) زدایش:

در این روش ویفر را لایه به لایه می توان etch کرد و هر سطح که به دست می آید بررسی کرد و نقص در آن را تشخیص داد.با توجه به این موضوع که میزان etch شدن در قسمت کریستالی و قسمتی که نقص داریم متفاوت است.

تشخیص نقص ها در سطح نهایی به راحتی صورت می پذیرد. مزیت عمده این روش سهل و ساده بودن انجام آن و ارزان بودن این روش است.در حالی که از معایب آن می توان به مخرب بودن آن اشاره کرد. به طوری که جهت تشخیص عیب ها لازم است ویفر اولیه به طور کامل خراب شود.

از دیگر معایب آن می توان به سطحی بودن اطلاعات نقص اشاره کرد. بدین معنی که تنها نقص های سطح مورد نظر را نشان می دهد و جهت مشاهده و بدست آوردن اطلاعات در سایر لایه های زیرین و یا حتی نقوص حجمی لازم است سایر لایه ها نیز برداشته شوند.

از طرف دیگر اگر چگالی نقص بیشتر از 10.000.000 cm-2 باشد، این روش قادر به تشخیص آن نیست.

در مطالب بعدی به ادامه مبحث یعنی نقشه برداری اشعه x  و ارزیابی شیمیایی پرداخته می شود.